技術編號：11709257
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本揭示內(nèi)容是有關于一種形成半導體結構的方法。背景技術半導體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷了高速的成長。IC制造中的技術進步產(chǎn)生了好幾代的IC，且每一代都比前一代制造出更小及更復雜的電路。目前，為了更高的元件密度以及更佳的電性性能，半導體工業(yè)已發(fā)展到納米技術節(jié)點，且來自制造及設計的多項挑戰(zhàn)已將半導體技術引導至三維設計，例如鰭狀場效晶體管(finFETs)。典型的鰭狀場效晶體管是制造一層在基板上延伸的薄“鰭片”，鰭狀場效晶體管的通道形成在鰭片內(nèi)。此外，形成柵極以橫越鰭，因此建置一種三面柵極結構(tri-...
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