技術(shù)編號：11709033
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存，尤其涉及一種具有可執(zhí)行反向讀取的結(jié)構(gòu)的電阻式內(nèi)存。背景技術(shù)在已知的電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存技術(shù)中，選擇好的設(shè)定或重置電壓以及克服電阻式隨機(jī)存取記憶胞的讀取干擾(readdisturb)是很大的挑戰(zhàn)。即使是應(yīng)用一個非常小的讀取電壓至隨機(jī)存取記憶胞中，都可能因為讀取干擾現(xiàn)象而導(dǎo)致記憶胞狀態(tài)的改變。電阻式隨機(jī)存取記憶胞被干擾的現(xiàn)象是在執(zhí)行讀取操作時，由于漏極的讀取電壓或者是源極的讀取電壓的極性(polarity)與設(shè)定或重置操作相同。因此，電阻式隨機(jī)存取記憶胞在連續(xù)讀取時，...
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