技術(shù)編號：11692187
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體材料GaN由于具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿場強高、導(dǎo)熱性能好等特點，已經(jīng)成為目前的研究熱點。在電子器件方面，GaN材料比Si和GaAs更適合于制備高溫、高頻、高壓和大功率器件，因此GaN基電子器件具有很好的應(yīng)用前景。在橫向器件中，為了抑制緩沖層泄漏電流，得到較好的器件開關(guān)特性，要求GaN緩沖層半絕緣或者高阻。在垂直器件中，為了更好的限制電流需要，同樣要求GaN緩沖層半絕緣或者高阻。要獲得高阻...
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