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用于絕緣體上硅的s接觸的制造方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11692157

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本文中描述的各實(shí)施方式一般涉及用于在器件的制造階段期間防止絕緣體上硅(SOI)器件充電的系統(tǒng)、方法和設(shè)備。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件的制造階段可以包括:使半導(dǎo)體器件經(jīng)受電勢(shì)梯度或者在半導(dǎo)體器件的表面上感應(yīng)出電荷的過(guò)程。在一些情況下,與這樣的過(guò)程相關(guān)聯(lián)的高能帶電粒子(離子)進(jìn)而可以進(jìn)入半導(dǎo)體器件的層中,并且在這樣的層內(nèi)被俘獲。層內(nèi)被俘獲的電荷進(jìn)而會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的工作特性產(chǎn)生不利影響,例如相應(yīng)閾值電壓的高變化,并且在極端情況下可以造成器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)/層的破裂,從而導(dǎo)致器件無(wú)功能。已經(jīng)設(shè)計(jì)出用于提供在例如等離...
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