技術(shù)編號：11692146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù)近來，半導(dǎo)體器件例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)器件等已經(jīng)被高度地集成。這樣的增大的集成密度已經(jīng)導(dǎo)致接觸(contact)的減小的接觸面積以及隨之增大的接觸電阻。此外，接觸和相鄰的圖案之間或接觸和相鄰的有源區(qū)之間的橋接缺陷(bridgedefect)已經(jīng)由于其間的減小的間隔而增加。因此，需要一種制造半導(dǎo)體器件的方法，根據(jù)該方法，半導(dǎo)體器件具有最大的下接觸面積以及與相鄰元件的減少的橋接缺陷，并包括通過便利的工藝可形成的微互連結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本公開的...
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