技術(shù)編號(hào)：11692071
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種N+P-結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管芯片的制造方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種新型的N+P-結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管芯片的制造方法，應(yīng)用在集成電路或分立器件制造技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)快恢復(fù)二極管因具有反向恢復(fù)時(shí)間短、高溫特性好等特點(diǎn)，被廣泛用于各類高頻電路；目前國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商生產(chǎn)的快恢復(fù)二極管芯片都是P+N-結(jié)構(gòu)（見圖1）；該結(jié)構(gòu)產(chǎn)品特點(diǎn)是陽極在芯片正面，陰極在芯片背面；而市場(chǎng)上用于快恢復(fù)二極管芯片封裝的主流封裝形式為TO-220（見圖2），這就造成了組裝后的產(chǎn)品僅可以作為共陰極產(chǎn)品使用。但整機(jī)應(yīng)用上也有共陽極使用需...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。