技術(shù)編號：11679558
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種IGBT模塊、應(yīng)用了該種IGBT模塊的動力系統(tǒng)以及應(yīng)用了該種動力系統(tǒng)的混合動力汽車。背景技術(shù)IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，中文名稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。