技術(shù)編號(hào)：11676228
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體材料的電阻率的測(cè)試方法。背景技術(shù)擴(kuò)展電阻探針法用于定量測(cè)量某些半導(dǎo)體材料的局部電導(dǎo)率，空間分辨率高測(cè)量取樣體積為10-10cm3左右，測(cè)量重復(fù)精度優(yōu)于1％。將硅片磨角后用擴(kuò)展電阻法可以測(cè)量分辨深度方向30nm以內(nèi)電阻率的變化。因此，擴(kuò)展電阻探針是硅材料及器件生產(chǎn)工藝質(zhì)量測(cè)試手段，也可以用于砷化鎵、化銦等其他半導(dǎo)體材料的電阻率分布測(cè)試?，F(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)裸硅片或已工藝硅片但上面的所有層次均被剝離后使用擴(kuò)展電阻儀(以下簡(jiǎn)稱SRP)測(cè)試縱向的輪廓(prof...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。