技術(shù)編號(hào)：11656539
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體激光器的封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)半導(dǎo)體激光器以其體積小、重量輕、電壓低、功率大等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用在光纖通信、光電集成、光盤存儲(chǔ)、泵浦光源、大氣環(huán)境檢測(cè)、痕量有毒氣體分析及分子光譜學(xué)等與人類生活息息相關(guān)的諸多領(lǐng)域。其中，部分領(lǐng)域?qū)τ诎雽?dǎo)體激光器的輸出功率有著更高的要求。通常情況下，增大半導(dǎo)體激光器的脊寬和增大工作電流是提高輸出功率的最直接的方式，但是，與此同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體激光器有源區(qū)在工作時(shí)溫度的升高。半導(dǎo)體激光器在工作時(shí)的溫度對(duì)其閾值電流密度、斜率效率和光譜...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。