技術(shù)編號(hào)：11656135
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開大體涉及電子裝置封裝，并且更具體地，涉及電子裝置的扇出晶片級(jí)封裝。背景技術(shù)扇出晶片級(jí)封裝(FO-WLP)過程通常引起在管芯封裝的表面上的再分布層形成，該管芯封裝包括一個(gè)或多個(gè)微電子裝置被嵌入在其中的模制封裝體。例如，F(xiàn)O-WLP過程可被用于生產(chǎn)封裝內(nèi)系統(tǒng)(SIP)類型的裝置，其中，多個(gè)微電子裝置，例如承載IC的半導(dǎo)體管芯、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、光學(xué)裝置、無源電子組件等等被嵌入在既緊湊又結(jié)構(gòu)穩(wěn)固的單個(gè)封裝中。在FO-WLP裝置中，再分布層提供在位于嵌入式微電子裝置上的接觸墊和接觸陣列，例如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。