技術(shù)編號(hào)：11656049
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種提高集成電路可靠性的方法。背景技術(shù)金屬鎢(W)具有良好的導(dǎo)電性能，通過(guò)氣相沉積也具有良好的階梯覆蓋性，因而，在半導(dǎo)體集成電路的制造工藝中，常被用來(lái)做接觸插塞(Contact)或連接插塞(Via)的材料。通常，形成接觸插塞或連接插塞的工藝步驟如下：首先，通過(guò)光刻和刻蝕工藝蝕刻層間電介質(zhì)(Inter-layerDielectric，ILD)到互連導(dǎo)線或者半導(dǎo)體基材上，形成接觸孔或連接孔，該接觸孔和連接孔的底部露出電極或下層的互連導(dǎo)線；接著，在所述接觸孔和連接孔底...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。