技術(shù)編號(hào)：11636738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及用于控制多芯片(multi-die)電源模塊的操作的器件。背景技術(shù)多芯片電源模塊傳統(tǒng)上由并聯(lián)連接的多個(gè)功率芯片(powerdie)組成，并且用于相比于單個(gè)功率芯片而增大電流能力。例如，三相轉(zhuǎn)換器由每個(gè)開關(guān)四個(gè)并聯(lián)功率芯片組成，這給出總共二十四個(gè)功率芯片。新興的器件技術(shù)(諸如SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)晶體管)由于晶片基板的產(chǎn)率和成本的限制，通常實(shí)現(xiàn)為高電流密度、小功率芯片。為了實(shí)現(xiàn)較高功率的SiC基模塊，需要多個(gè)并聯(lián)連接的SiC芯片。與并聯(lián)連接的模塊不同，并聯(lián)連接的芯片構(gòu)成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。