技術(shù)編號(hào):11636267
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及電阻式存儲(chǔ)器單元前體及其制造方法。還描述了包括由這樣的前體制造的電阻式存儲(chǔ)器單元的器件。背景技術(shù)電阻式存儲(chǔ)器(例如電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM或RRAM))通常包括多個(gè)電阻式存儲(chǔ)器單元。這樣的單元可以采用兩端器件的形式,其中比較絕緣的切換層或介質(zhì)設(shè)置在兩個(gè)導(dǎo)電電極之間。在一些實(shí)例中,這樣的器件包括一個(gè)晶體管(1T)或一個(gè)二極管(1D)連同一個(gè)電阻器(1R),從而得到1T1R或1D1R構(gòu)造。RRAM的電阻式存儲(chǔ)器單元可以響應(yīng)于電壓在兩個(gè)不同的狀態(tài)之間改變,即可以表示截止或0狀態(tài)的高阻...
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