技術(shù)編號：11636238
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本技術(shù)涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件，其有源層結(jié)構(gòu)以及包括該半導(dǎo)體發(fā)光元件的顯示裝置。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體發(fā)光元件，超發(fā)光二極管(SLD)具有這樣的特性：其具有相對地接近于發(fā)光二極管的寬的發(fā)光光譜寬度并且發(fā)射具有窄輻射角和高強度的光，如同半導(dǎo)體激光器的發(fā)光狀態(tài)。專利文獻1中描述的SLD包括垂直于在平面圖中所見的解理端面(cleavageendsurface)而形成的線狀脊波導(dǎo)，以及設(shè)置為沿著脊波導(dǎo)彎曲的曲線引導(dǎo)有源層。在解理端面上，有時形成AR(防反射)膜。在具有這種結(jié)構(gòu)的SLD中，位于直線脊形波導(dǎo)正下方的有...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。