技術編號：11636210
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明關于具有溝槽柵構造的半導體裝置及其制造方法。背景技術例如，專利文獻1公開了一種功率MOSFET，其包含：構成漏極的半導體襯底；形成在半導體襯底的表面的溝槽；在溝槽內(nèi)經(jīng)由柵極絕緣膜而形成的柵極電極；形成在半導體襯底的表面?zhèn)鹊闹黧w（body）擴散層；形成在半導體襯底的表面的源極擴散層；形成在柵極電極上的層間絕緣膜；形成在半導體襯底上的源極電極膜；與溝槽隔著間隔而形成的源極溝槽；以及形成在源極溝槽的底面的p型接觸擴散層。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2008－98593號公報。發(fā)明內(nèi)容...
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