技術(shù)編號(hào)：11636059
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及離子束蝕刻法和離子束蝕刻設(shè)備。背景技術(shù)已經(jīng)例如在作為磁記錄介質(zhì)的硬盤驅(qū)動(dòng)器所使用的磁傳感器的生產(chǎn)的多個(gè)步驟中使用離子束蝕刻(下文也稱為IBE)處理。磁傳感器的磁頭元件的形狀是三維結(jié)構(gòu)。在蝕刻處理之后，基板表面中設(shè)置的元件的形狀必須是高度均一的。為了使元件的形狀均一，在元件的形狀是鏡像對稱的情況下，在基板轉(zhuǎn)動(dòng)的狀態(tài)下進(jìn)行蝕刻處理，而在元件的形狀是非鏡像對稱的情況下，在基板固定在任意方向上的狀態(tài)下進(jìn)行蝕刻處理?？梢岳靡韵率聦?shí)來形成具有非鏡像對稱形狀的元件：蝕刻之后獲得的元件的形狀由離子束...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。