技術編號：11636055
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及制造碳化硅半導體裝置的方法。背景技術近年來，為了使半導體裝置具有較高的擊穿電壓、較低的損失以及可在高溫環(huán)境下使用等，越來越多地采用碳化硅作為形成半導體裝置的材料。例如，日本特開2014-86446號公報(專利文獻1)描述了一種切割碳化硅晶片的方法。根據(jù)該切割碳化硅晶片的方法，沿著與由{1-210}面在c面上形成的直線垂直的方向切割碳化硅晶片，然后再沿著與c面上的{1-210}面平行的方向切割碳化硅晶片?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2014-86446號公報。發(fā)明內容技術問題...
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