技術(shù)編號：11633192
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及使碳化硅原料升華而使塊狀的碳化硅單晶在籽晶上生長的碳化硅單晶的制造方法、及碳化硅單晶基板。背景技術(shù)碳化硅(SiC)為具有寬的禁帶寬度的寬帶隙半導(dǎo)體，由于在耐電壓性和耐熱性等方面具有遠遠勝過以往的硅(Si)的特性，所以作為下一代的半導(dǎo)體材料開展了研究開發(fā)。作為使碳化硅單晶(SiC單晶)生長的技術(shù)之一，有升華再結(jié)晶法。即，也稱為改良瑞利法的該方法是在坩堝的蓋體上安裝由SiC構(gòu)成的籽晶，在坩堝的容器主體中配置SiC原料，通過使SiC原料升華，從而使塊狀的SiC單晶在籽晶上生長。此時，還能夠向...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。