技術(shù)編號(hào)：11621809
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。具體地，本發(fā)明構(gòu)思涉及使目標(biāo)材料層圖案化的方法。背景光刻法可被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)中的主要基礎(chǔ)。光刻法可包括通過光學(xué)掩模限定幾何特征件，隨后將所述特征件轉(zhuǎn)移到目標(biāo)材料層(例如，晶片上)，從而可使目標(biāo)材料層圖案化。因?yàn)榧呻娐纷兊迷絹?lái)越小，并且，在給定的區(qū)域中同時(shí)包含越來(lái)越多的電子部件，因此，使用光學(xué)掩模形成例如電路或接觸圖案就變得更昂貴且更困難。因?yàn)橄噜徧卣骷g的分隔接近在光刻法中使用的光的波長(zhǎng)，因此，試圖使用單一光學(xué)掩模限定并轉(zhuǎn)移完整的圖案的臨界尺寸單位(CDU)可...
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