技術(shù)編號:11621808
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及使用多重光刻多重蝕刻的通孔圖案化的方法。背景技術(shù)為了在晶圓上形成集成電路的部件,使用光刻工藝。典型的光刻工藝涉及施加光刻膠和在光刻膠上限定圖案。在光刻掩模中限定圖案化的光刻膠中的圖案,并且通過光刻掩模中的透明部分或不透明部分限定。然后,將圖案化的光刻膠中的圖案通過蝕刻步驟轉(zhuǎn)印至下面的部件,其中,圖案化的光刻膠用作蝕刻掩模。在蝕刻步驟之后,去除圖案化的光刻膠。通過集成電路日漸按比例縮小,光學(xué)鄰近效應(yīng)對從光刻膠轉(zhuǎn)印圖案至晶圓帶來越來越大的問題。當(dāng)兩個分隔開的部件彼此太接近時(shí),光學(xué)鄰近...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。