技術(shù)編號：11621669
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。執(zhí)行基于請求的刷新的存儲(chǔ)裝置和存儲(chǔ)系統(tǒng)及操作方法相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2015年11月6日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0155797號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部公開通過引用并入本文。技術(shù)領(lǐng)域公開的構(gòu)思涉及存儲(chǔ)裝置，更具體地，涉及執(zhí)行基于請求的刷新的存儲(chǔ)裝置和存儲(chǔ)系統(tǒng)以及該存儲(chǔ)裝置的操作方法。背景技術(shù)廣泛應(yīng)用于高性能電子系統(tǒng)的存儲(chǔ)裝置的容量和速度都在提高。作為這些存儲(chǔ)裝置中的示例，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是根據(jù)儲(chǔ)存在電容器中的電荷確定數(shù)據(jù)的易失性存儲(chǔ)器。隨著存儲(chǔ)裝置的集...
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