技術(shù)編號：11620138
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲器設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種面向近似應(yīng)用的低開銷DRAM刷新方法及系統(tǒng)。背景技術(shù)當(dāng)前處理器系統(tǒng)的很大一部分功耗都由DRAM主存儲器產(chǎn)生，而且該趨勢還在愈演愈烈。近期有研究表明，現(xiàn)代服務(wù)器系統(tǒng)中，主存系統(tǒng)產(chǎn)生的功耗占據(jù)了多達30～40％的比例，而主存功耗可以分為內(nèi)存控制器功耗、背景功耗和動態(tài)功耗，背景功耗的產(chǎn)生和訪存活動無關(guān)，它主要來源于主存外圍電路，晶體管漏電以及刷新功耗，其中刷新功耗是由DRAM存儲單元電容漏電導(dǎo)致的，DRAM控制器必須通過周期性的刷新操作補償電容漏電電荷，從而保...
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