技術(shù)編號：11600497
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及單晶硅制造領(lǐng)域，具體是一種在直拉單晶制造法中增加單晶尾部氧含量的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)單晶硅中的氧含量低會影響單晶硅材料本身的機(jī)械強(qiáng)度，最直接的體現(xiàn)為在外延過程中高溫引起的形變達(dá)到材料本身無法承受，而形成SlipLine缺陷，造成報廢。由生產(chǎn)原理可知，在As(砷)、Sb(銻)摻雜的單晶中，因摻雜劑As(砷)、Sb(銻)區(qū)別于Bo(硼)、Ph(磷)等摻雜，As(砷)、Sb(銻)雜質(zhì)會與Si熔湯中的氧結(jié)合，成為As(砷)或Sb(銻)的氧化物，從硅熔湯的表面揮發(fā)，隨氬氣進(jìn)入真空泵排出。因此，同樣...
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