技術(shù)編號(hào)：11589189
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種微影方法。背景技術(shù)在集成電路(IC)制造中，圖案化光致抗蝕劑層用來將具有細(xì)小特征尺寸的設(shè)計(jì)圖案從光掩模轉(zhuǎn)移至晶片。隨著圖案的分辨率增加，人們期望能夠縮小光致抗蝕劑圖案的臨界尺寸以創(chuàng)造更小的特征尺寸。然而，關(guān)于通過后顯影處理可縮小多少光致抗蝕劑圖案的臨界尺寸，目前仍存在限制。因此，有需要提供一種后顯影處理材料及微影方法以解決上述問題。發(fā)明內(nèi)容本公開根據(jù)一些實(shí)施例提供一種微影方法。該微影方法包括：形成圖案化光致抗蝕劑于材料層上；提供第一接合材料至該圖案化光致抗蝕劑的側(cè)面；實(shí)行一處理于該...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。