技術(shù)編號(hào)：11586816
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件本發(fā)明申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2013年2月20日、申請(qǐng)?zhí)枮?01310059385.4、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件”的發(fā)明申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明適用于如內(nèi)置了SRAM(StaticRandomAccessMemory：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的細(xì)微化，將使半導(dǎo)體器件越來越難于滿足電源電壓的降低及電源EM(electromigration：電遷移)等基準(zhǔn)。應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體器件細(xì)微化的方法已知的有追加電源端子及追加電源過孔的方法，但是這兩種方法都有可能降低半導(dǎo)體器件的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。