技術(shù)編號(hào):11586770
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光電子和微電子領(lǐng)域,特別是涉及一種用于光子探測(cè)的半導(dǎo)體光電倍增器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體光電倍增器是一種利用半導(dǎo)體雪崩倍增機(jī)制對(duì)光子進(jìn)行探測(cè)的新型半導(dǎo)體器件。它是由多個(gè)探測(cè)單元并聯(lián)排列而成的陣列式探測(cè)結(jié)構(gòu),所有的探測(cè)單元共用一個(gè)電極用作信號(hào)的輸出,其探測(cè)單元由工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管串聯(lián)淬滅電阻組成。當(dāng)光子入射到二極管中被吸收后,便會(huì)在雪崩光電二極管的光敏區(qū)內(nèi)產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。由于雪崩光電二極管的光敏區(qū)內(nèi)存在較高的電場(chǎng),漂移的電子會(huì)通過(guò)雪崩倍增的方式在這個(gè)高電場(chǎng)中產(chǎn)生大量電子-空穴對(duì)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。