技術編號：11586699
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明通常涉及可變電容器。尤其，本發(fā)明涉及芯片上可變電容器。背景技術CMOSFinFET技術用以制造操作于多個頻帶的低功率電路。目前，針對芯片上可變電容器的選擇非常有限。傳統(tǒng)上，CMOS芯片上電容器是不可變的，對于當前的多頻帶芯片具有有限可調諧范圍。有限可調諧性限制可重構電路設計，并需要多個被動裝置，從而增加芯片布局面積?？芍貥嬔b置的性能被芯片上的有限可調諧裝置限制。目前使用半導體可變電容器以及基于MEMS可變電容器?？稍跇藴蔆MOS制程中獲得的半導體可變電容器包括-(i)變容二極管，(ii)金...
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