技術(shù)編號(hào)：11586548
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，且更具體地涉及一種結(jié)構(gòu)和一種用于位于源極/漏極區(qū)上方的自對(duì)準(zhǔn)接觸結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件的尺寸的減小，例如，自對(duì)準(zhǔn)接觸件(SAC)已經(jīng)廣泛地用于制造更靠近場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中的柵極結(jié)構(gòu)布置的源極/漏極(S/D)接觸件。通常，通過圖案化層間介電(ILD)層來制造SAC，在該層間介電層下面，接觸蝕刻停止層(CESL)形成在具有側(cè)壁間隔件的柵極結(jié)構(gòu)上方。ILD層的最初的蝕刻停止在CESL處，并且然后，蝕刻CESL以形成SAC。隨著器件密度增加(...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。