技術(shù)編號：11586412
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種MOS管參數(shù)退化電路、一種MOS管參數(shù)退化預警電路、和另一種MOS管參數(shù)退化預警電路。背景技術(shù)NBTI(NegativeBiasTemperatureInstability，負偏壓溫度不穩(wěn)定性)效應(yīng)是指在高溫和負柵壓偏置應(yīng)力下的PMOS(positivechannelMetalOxideSemiconductor，指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的場效應(yīng)晶體管)管的退化效應(yīng)，即在NBTI效應(yīng)的影響下，將會導致器件PMOS管的閾值電壓發(fā)生漂移、漏極飽和...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。