技術(shù)編號：11586326
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造依次包含有用的半導(dǎo)體層、介電層和載體襯底的結(jié)構(gòu)體的方法。其具體涉及用于使所述有用層的表面平滑的方法。這些結(jié)構(gòu)體尤其適用于微電子、微機(jī)械、光電子等領(lǐng)域。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)已知有各種實(shí)現(xiàn)形成依次包含表面半導(dǎo)體層、介電層和載體襯底的中間結(jié)構(gòu)體的方法。這可能例如是層轉(zhuǎn)移制造方法(例如，已知名為SmartCutTM或EltranTM的方法)或者氧注入制造方法(以首字母縮寫SIMOX(通過氧注入而分離)所知的方法)的問題。在后續(xù)的修整步驟期間，所述中間結(jié)構(gòu)體經(jīng)過各種處理以便將表面層轉(zhuǎn)化為具有特別...
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