技術(shù)編號：11582069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開總體涉及隨機存取存儲器(RAM)，并且更具體而言，涉及在交叉點存儲器陣列中的存儲器位單元中存儲的數(shù)據(jù)的恢復和/或刷新。背景技術(shù)在高速率的存取期間(例如，在寫入操作或讀取操作期間)，選定的或相鄰的存儲器位單元可能受到干擾，使得存儲器位單元所存儲的狀態(tài)(例如，“開”/“關(guān)”狀態(tài)、低電阻/高電阻狀態(tài)、導電/電阻狀態(tài))可能不可恢復。反復存取陣列內(nèi)的存儲器位單元可能干擾一個或多個相鄰的存儲器位單元，導致一個或多個相鄰位單元改變狀態(tài)。例如，針對存儲器位單元的反復的讀取或?qū)懭氩僮骺赡軐е孪噜彺鎯ζ魑粏卧?..
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