技術(shù)編號：11578451
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入測試樣品的制備方法及測試方法。背景技術(shù)離子注入技術(shù)是一種向半導(dǎo)體材料中引入摻雜離子，改變半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能的技術(shù)。離子注入現(xiàn)已在半導(dǎo)體制造中被廣泛應(yīng)用。離子注入的劑量和射程是離子注入工藝的兩個重要參數(shù)，對離子注入的劑量和射程進(jìn)行精確控制是離子注入工藝優(yōu)化的目標(biāo)。其中，不僅要求摻雜離子的峰值濃度控制準(zhǔn)確，還要求摻雜離子濃度分布符合設(shè)計(jì)要求。對于平面晶體管而言，通常采用二次離子質(zhì)譜(SecondIonMassSpectroscopy，SIMS)來分析摻雜離...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。