技術(shù)編號：11568211
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法，更具體地涉及微機(jī)電器件及其形成方法。背景技術(shù)微機(jī)電系統(tǒng)(“MEMS”)正變得越來越流行，特別是隨著這樣的器件的小型化并且將它們集成到集成電路制造工藝中。然而，MEMS器件將它們獨(dú)特的需求引入集成工藝中。電互連MEMS器件是獨(dú)特挑戰(zhàn)的一個(gè)方面。特別地，將不同的MEMS器件集成到同一集成電路制造工藝中面臨挑戰(zhàn)。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種用于形成微機(jī)電(MEMS)器件的方法，該方法包括：圖案化第一襯底的介電層以通過所述介電層暴露導(dǎo)電部件和底部層，...
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