技術(shù)編號(hào)：11560852
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于表面等離子體干涉刻寫亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，涉及表面等離子體干涉刻寫亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)制備裝置，特別涉及表面等離子體多次干涉曝光的亞波長(zhǎng)結(jié)構(gòu)制備裝置。背景技術(shù)亞波長(zhǎng)光學(xué)結(jié)構(gòu)在偏振器件、衍射光柵、生物傳感和微納光學(xué)等領(lǐng)域具有重要和廣泛應(yīng)用。目前的表面等離子體亞波長(zhǎng)光刻技術(shù)主要包括：基于棱鏡耦合激發(fā)表面等離子體的無(wú)掩模干涉光刻；基于特殊金屬光柵掩模結(jié)構(gòu)激發(fā)表面等離子體的光刻技術(shù)。這些光刻技術(shù)存在一些不足，主要表現(xiàn)在：1)基于棱鏡耦合激發(fā)表面等離子體的無(wú)掩模干涉光刻，一般情況下，只能刻寫簡(jiǎn)單的一維亞...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。