技術(shù)編號：11522696
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于光通信器件領(lǐng)域，更具體地涉及一種硅基電注入激光器及其制備方法。背景技術(shù)過去幾十年中，微電子技術(shù)發(fā)展迅猛，COMS器件的特征尺寸已降低到10nm以內(nèi)。然而伴隨著器件尺寸縮小到10nm下，量子效應(yīng)越加凸顯，器件性能越發(fā)難以控制，器件的集成度更大，器件結(jié)構(gòu)從二維向三維發(fā)展，工藝難度越來越高。因此，人們把延續(xù)“摩爾定律”即增強(qiáng)運(yùn)算或通信能力的希望寄托在光子學(xué)特別是光電集成上。目前硅基光子學(xué)已高度發(fā)展，波導(dǎo)、光放大器、光探測器、光調(diào)制器等光子器件都可實(shí)現(xiàn)成熟應(yīng)用，并集成在一起形成硅集成光子芯片。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。