技術編號：11522125
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本公開的實施例總體上涉及在三維非易失性存儲器(NVM)電阻式隨機存取存儲器(RRAM)裝置中分布的納米顆粒的集合。背景技術當前有用于在計算系統(tǒng)中存儲信息的若干不同的存儲器技術。這些不同的存儲器技術總體上可以分為兩大類，即易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器總體上指需要電力以保留所存儲的數(shù)據(jù)的計算機存儲器類型。而另一方面，非易失性存儲器總體上是指不需要電力以保留所存儲的數(shù)據(jù)的計算機存儲器類型。易失性存儲器的類型的示例包括隨機存取存儲器(RAM)中的某些類型，比如動態(tài)RAM(DRAM)和靜態(tài)R...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。