技術(shù)編號：11522023
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及FINFET器件及其形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)式增長。IC材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代IC，其中，每一代IC都具有比上一代更小和更復(fù)雜的電路。在IC發(fā)展過程中，功能密度(即每芯片面積上互連器件的數(shù)量)通常增大了而幾何尺寸(即，使用制造工藝可以做出的最小的元件(或線))減小了。該按比例縮小工藝通常因提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本而提供益處。這種按比例縮小工藝還增加了處理和制造IC的復(fù)雜性并且，為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要IC處理和制造方面的相似進(jìn)步。例如，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。