技術(shù)編號(hào)：11521919
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及到一種半導(dǎo)體的測(cè)試結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，目前半導(dǎo)休器件的特征尺寸己經(jīng)變得非常小，然而為了以提高半導(dǎo)體芯片的集成度，采用穿硅通孔來增加集成度，利用穿硅通孔具有以下三個(gè)優(yōu)點(diǎn)：1、高密度集成；2、大幅地縮短電互連的長(zhǎng)度；3、可以把具有不同功能的芯片集成在一起來實(shí)現(xiàn)封裝芯片的多功能。因而，利用穿硅通孔堆疊結(jié)構(gòu)的技術(shù)曰益成為一種較為流行的芯片封裝技術(shù)。穿硅通孔是一種貫穿硅基材的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，主要功能是用來互連集成電路芯片，其制作方法大體上是先在各芯片預(yù)定處形成垂...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。