技術(shù)編號：11516526
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。全襯底隔離FINFET晶體管分案說明本申請是于2013年10月12日提交的申請?zhí)枮?01310489429.7、名稱為“全襯底隔離FINFET晶體管”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本公開內(nèi)容涉及集成電路晶體管的制作，并且具體涉及低泄漏三維FinFET(場效應(yīng)晶體管)器件的制作。背景技術(shù)在數(shù)字電路中，晶體管是開關(guān)，該開關(guān)理想地：a)在它關(guān)斷時傳遞零電流；b)在它導(dǎo)通時供應(yīng)大電流流動；并且c)在導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)之間瞬時地切換。遺憾的是，在構(gòu)造于集成電路中時晶體管并非是理想的并且往往即使在它關(guān)斷...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。