技術(shù)編號(hào):11511065
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種改善熔體抽拉非晶微絲巨磁阻抗效應(yīng)的調(diào)制方法。背景技術(shù)非晶微絲具有獨(dú)特的巨磁阻抗(GiantMagneto-impedance,GMI)效應(yīng)而受到國(guó)際學(xué)術(shù)界廣泛的關(guān)注,所謂巨磁阻抗效應(yīng)是指磁性材料的交流阻抗隨著外加磁場(chǎng)的微小變化而發(fā)生顯著改變的現(xiàn)象。依據(jù)這一特性,巨磁阻抗(GMI)磁敏傳感器得到開發(fā)。(參見V.Zhukova,M.Ipatov,A.Zhukov.“ThinMagneticallySoftWiresforMagneticMicrosensors”.Sensors.200...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。