技術(shù)編號：11507477
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體薄膜材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種通過藍(lán)寶石襯底制備多晶SiC薄膜的方法。背景技術(shù)Si是第一代窄禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在所有半導(dǎo)體材料中其使用量占據(jù)絕對優(yōu)勢，幾乎所有的功率及電力電子器件都使用Si材料來制造，但Si材料并不是完全理想的。例如：Si材料所制成的溫度傳感器，其有效測溫區(qū)間僅為0～150℃，無法適應(yīng)部分高溫環(huán)境下的測量。因此，近年來也逐步開始研究第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，即SiC材料。SiC材料具有優(yōu)越的電學(xué)性能，特別適合制成高壓、高溫、耐輻照、高功率型半導(dǎo)體器件。藍(lán)寶石(S...
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