技術(shù)編號(hào):11482328
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及刻蝕機(jī)的下電極載片臺(tái)。背景技術(shù)在等離子體刻蝕工藝中所使用的下電極載片臺(tái)是一種固定待刻蝕晶圓的結(jié)構(gòu),合適的固定結(jié)構(gòu),對(duì)于等離子體刻蝕工藝的可靠性、穩(wěn)定性和重復(fù)性有重要的作用。在選擇晶圓固定結(jié)構(gòu)時(shí),需要考慮刻蝕晶圓的尺寸,刻蝕工藝的氣體及流量分布,該固定結(jié)構(gòu)使用材料對(duì)于刻蝕工藝過(guò)程的物理和化學(xué)影響,以及刻蝕工藝過(guò)程產(chǎn)生的熱效應(yīng)等因素。對(duì)于具有射頻或者直流偏壓的工藝結(jié)構(gòu),在選擇固定結(jié)構(gòu)時(shí),還應(yīng)考慮電極對(duì)載片臺(tái)的電磁場(chǎng)分布作用的影響。為了實(shí)現(xiàn)等離子體刻蝕工藝,要求下...
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