技術(shù)編號(hào)：11478373
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種過(guò)流保護(hù)電路和過(guò)流保護(hù)方法。背景技術(shù)SiC器件具有禁帶寬度高、飽和電子漂移速度高、臨界電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性，因此，基于SiC的電力電子器件阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強(qiáng)，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì)。進(jìn)一步的，采用SiC電力電子器件可以進(jìn)一步提升電力電子裝置的功率密度及效率，尤其是在高頻、高溫和大功率電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，SiC電力電子器件具有Si半導(dǎo)體器件難以比擬的巨大應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和潛力。但是，在中大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，對(duì)器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。