技術(shù)編號(hào):11469148
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氟化物燒結(jié)體以及中子射線減速材料,更具體地,涉及具有適合用來(lái)抑制中子射線等各種放射線的放射速度的減速材料的致密構(gòu)造的用于中子射線減速材料的氟化物燒結(jié)體以及中子射線減速材料。背景技術(shù)氟化鈣(CaF2)單晶體,氟化鎂(MgF2)單晶體等氟化物比較廣泛地應(yīng)用在光學(xué)領(lǐng)域中。氟化物被使用在光學(xué)領(lǐng)域以外的情況極少,(CaF2)單晶體由于其高的耐等離子體性,有時(shí)候被用于半導(dǎo)體制造工藝中。有將其應(yīng)用到硅片的等離子體蝕刻處理爐內(nèi)的對(duì)耐等離子最有要求的部件的情況,例如,連結(jié)板或者天花板等的設(shè)計(jì)。但是由于C...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。