技術(shù)編號：11452737
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。半導體裝置以及功率模塊關(guān)聯(lián)申請的相互參照本申請基于2014年11月21日提出申請的日本專利申請2014－236861號，在此通過參照引用其記載內(nèi)容。技術(shù)領域本公開涉及電連接有作為電中繼部件的匯流條、且在兩面?zhèn)确謩e配置有冷卻器并被冷卻的兩面冷卻構(gòu)造的半導體裝置以及具備該半導體裝置的功率模塊。背景技術(shù)以往，如專利文獻1所記載，已知一種電連接有作為電中繼部件的匯流條、且在兩面?zhèn)确謩e配置有冷卻器并被冷卻的兩面冷卻構(gòu)造的半導體裝置。這種兩面冷卻構(gòu)造的半導體裝置具備形成有IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等元件的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。