技術(shù)編號：11442704
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。：本實(shí)用新型涉及高溫真空設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，特指一種真空室用高溫CVD加熱線圈結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)：碳化硅(SiC)是一種重要的寬帶隙半導(dǎo)體材料，高溫、高頻、大功率SiC器件在新能源(光伏發(fā)電與風(fēng)電)、電動汽車、電機(jī)控制、軌道交通、電網(wǎng)、武器裝備等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。SiCCVD外延材料生長在SiC技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)著重要地位，并發(fā)揮著重要作用，這是因?yàn)椋?、SiCCVD外延材料生長是SiC功率器件制造的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)；2、SiC器件結(jié)構(gòu)材料需要通過CVD外延生長技術(shù)來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)?800℃以下雜質(zhì)原子在...
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