技術(shù)編號：11434830
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種3dB電橋。背景技術(shù)目前，3dB電橋是一種將兩種頻率相同的信號進(jìn)行耦合成一路信號輸出的電器件，寬頻率帶3DB電橋一直是功分器類努力的方向，實(shí)現(xiàn)寬頻3dB電橋是目前迫切需要的，尤其是通信行業(yè)的新增標(biāo)準(zhǔn)LTE中，LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段為2570MHz-2620MHz，覆蓋該標(biāo)準(zhǔn)的合路器及3dB電橋。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn)，提供一種3dB電橋。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的具體方案如下：一種3dB電橋：包括有上層片和與上層片平行設(shè)置的下層片，上層片和下層片之間墊設(shè)有絕緣介質(zhì)；...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。