技術(shù)編號：11434595
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件和用于制造半導(dǎo)體器件的方法本申請是國際申請日為2011年7月1日、國家申請?zhí)枮?01180035938.1(國際申請?zhí)枮镻CT/EP2011/061137)、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體器件和用于制造半導(dǎo)體器件的方法”的申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本申請涉及一種半導(dǎo)體器件以及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法相關(guān)申請的交叉參引本申請要求德國專利申請102010031945.7的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此通過引用并入本文。背景技術(shù)在輻射發(fā)射的半導(dǎo)體器件中，例如在具有用于產(chǎn)生輻射的發(fā)光二極管芯片的器件中，例如在燈...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。