技術編號：11422619
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及光學技術領域，特別是涉及一種HCN激光器新型陰極結構。背景技術在托卡馬克聚變實驗中，等離子體電子密度是實驗中極其重要的一個參數(shù)，其大小可以衡量整個裝置的實驗水平。電子的密度測量主要是通過HCN遠紅外激光干涉儀測量，作為干涉儀系統(tǒng)的光源HCN激光器要求長時間穩(wěn)定高功率的運行。HCN激光器陰極結構是HCN激光器的重要組成部分，其結構的優(yōu)劣決定激光器工作的穩(wěn)定性，因此一種好的陰極結構對干涉儀系統(tǒng)具有重要意義。目前HCN激光器的陰極材料主要是鉭，陰極結構主要是鉭筒式結構，實際應用中發(fā)現(xiàn)鉭陰...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。