技術(shù)編號：11413249
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于晶體基底的制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陽極氧化制備氧化鋁晶體基底的方法。背景技術(shù)現(xiàn)代微電子領(lǐng)域集成的電子器件基本都是以薄膜材料為基礎(chǔ)，器件常用的藍(lán)寶石（R-Al2O3）基片，因其具有良好的熱特性、介電常數(shù)小和介質(zhì)損耗小等性能而受到了廣泛的研究和應(yīng)用，Al2O3基片的應(yīng)用越來越廣，需求也越來越多。在Al2O3基片外延生長薄膜材料前必須對基底進(jìn)行拋光處理以得到平整光亮、晶格完整的清潔表面，因?yàn)榛椎谋砻尜|(zhì)量直接影響外延層的質(zhì)量、器件的性能及產(chǎn)品的成品率。但藍(lán)寶石硬度高，脆性大，對其進(jìn)行機(jī)械加...
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